废酸再生工艺流程？

发布时间：2024-08-24 17:02编辑：冶金属归类：金属资讯

一、废酸再生工艺流程？

废酸再生工艺流程为用废酸通过反渗透膜将废酸中杂质去掉，生成酸进行再利用。

二、Zn再生工艺流程？

再生锌是由废旧铝和废锌合金材料或含锌的废料，经重新熔化提炼而得到的锌合金或锌金属，是金属锌的一个重要来源。再生锌产量按原料来源主要分为新废料和旧废料。

新废料是在冶炼及加工过程产生的废料，主要包括来自镀锌行业、铜材厂、锌压铸作业、锌材加工行业、电池生产工业的锌渣、灰、边角料以及铅、铜冶炼系统的锌渣等。

三、晶圆再生工艺流程？

晶圆制造工艺流程

1、表面清洗

2、初次氧化

3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD) 。（1）常压 CVD (Normal Pressure CVD) （2）低压 CVD (Low Pressure CVD) （3）热 CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) （4）电浆增强 CVD (Plasma Enhanced CVD) （5）MOCVD (Metal Organic CVD) & 分子磊晶成长 (Molecular Beam Epitaxy) （6）外延生长法 (LPE)

4、涂敷光刻胶（1）光刻胶的涂敷（2）预烘 (pre bake) （3）曝光（4）显影（5）后烘 (post bake) （6）腐蚀 (etching) （7）光刻胶的去除

5、此处用干法氧化法将氮化硅去除

6 、离子布植将硼离子 (B 3) 透过 SiO2 膜注入衬底，形成 P 型阱

7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理

8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷 (P 5) 离子，形成 N 型阱

9、退火处理，然后用 HF 去除 SiO2 层

10、干法氧化法生成一层 SiO2 层，然后 LPCVD 沉积一层氮化硅

11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层

12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的 SiO2 层，形成 PN 之间的隔离区

13、热磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除栅隔离层位置的 SiO2 ，并重新生成品质更好的 SiO2 薄膜 , 作为栅极氧化层。

14、LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成 SiO2 保护层。

15、表面涂敷光阻，去除 P 阱区的光阻，注入砷 (As) 离子，形成 NMOS 的源漏极。用同样的方法，在 N 阱区，注入 B 离子形成 PMOS 的源漏极。

16、利用 PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。

17、沉积掺杂硼磷的氧化层 18、濺镀第一层金属（1）薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于 1um 。（2）真空蒸发法（ Evaporation Deposition ）（3）溅镀（ Sputtering Deposition ）

19、光刻技术定出 VIA 孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用 PECVD 法氧化层和氮化硅保护层。

20、光刻和离子刻蚀，定出 PAD 位置

21、最后进行退火处理，以保证整个 Chip 的完整和连线的连接性

晶圆制造总的工艺流程芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test and Final Test）等几个步骤。

其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。

1、晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。

2、晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测

其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。

3、构装工序：就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。

4、测试工序：芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。

四、6063再生铝工艺流程？

6063再生铝是一种常用的再生铝合金，其工艺流程包括以下几个主要步骤：

1. 收集和分类：首先，需要收集废铝材料，并按照不同类型进行分类，如铝型材、铝板材等。

2. 清洗和去污：将收集到的废铝材料进行清洗和去污处理，去除表面的污垢和杂质，确保再生铝的纯度。

3. 熔炼和合金化：将清洗后的废铝材料放入熔炉中进行熔炼。在熔炉中，加入合适的合金元素和调整剂，可以使再生铝具有所需的性能和合金成分。

4. 浇铸或挤压：根据具体的产品要求和工艺选择，可以将熔融的再生铝进行浇铸（如铸锭）或挤压（如铝型材）。

5. 退火和处理：对浇铸或挤压后的再生铝产品进行退火处理，以消除内部应力并改善材料的机械性能。

6. 加工和表面处理：对再生铝产品进行机械加工，如切割、钻孔、磨削等。根据需求，还可以进行表面处理，如阳极氧化、喷涂等。

7. 检测和质量控制：对再生铝产品进行各种检测和测试，确保产品符合相关标准和质量要求。

8. 包装和交付：最后，将再生铝产品进行包装，并按照客户要求进行交付。

这些是一般的6063再生铝工艺流程，具体的流程和步骤可能会根据实际厂家和产品要求而有所不同。

五、阴床再生工艺流程？

原处理工艺流程是将阴阳床再生污水排放到中和池进行预混合处理，然后进入缓冲罐，经污水提升泵送到污水处理管线，在管道静态混合器内与中和剂(酸/碱)反应。中和剂投加部分由酸/碱计量泵组成，分两级处理，处理后的污水如达标，则直接排放；否则，返回至缓冲罐循环处理。

阴阳床再生时间和周期由除盐水生产装置的实际运行状况而决定。再生时，阳床的酸性污水较多，阴床的碱性污水较少，缓冲罐内污水基本显酸性。因此，在通常情况下中和剂为碱液

六、脱硫高塔再生工艺流程？

包括三个主要步骤：吸收、再生、处理废水。吸收：首先烟气通过脱硫高塔，加入吸收剂（如碳酸钙和氢氧化钙等），硫化物会与吸收剂中的钙离子反应生成硫酸钙，从而将硫化物从烟气中吸收。再生：硫酸钙负载物被输送到再生设备（如石灰石循环再生装置）进行加热，硫酸钙分解成二氧化硫和氧化钙，再生出来的钙氧化物重新进入脱硫高塔，重新开始脱硫。处理废水：在脱硫高塔运行过程中，会产生大量的废水，要进行处理。废水经过集中处理、中和、沉淀、澄清和污泥脱水等工序，最终达到国家的废水排放标准。因此，的设计和实现对于化石能源的清洁生产和排放达标具有非常重要的意义。

七、再生铅冶炼工艺流程？

再生铅冶炼是指从含铅废料中提取铅的工艺流程。其一般流程如下：1. 原料准备：选择和收集含铅废料，如废旧铅酸蓄电池、废旧电子产品、废旧电缆等。2. 破碎和筛分：将废旧材料进行预处理，通过破碎和筛分等操作，使废料的颗粒大小合适。3. 氧化还原：将废料放入反应炉内，加入氧化剂如氯化铵、氧化镁等，进行氧化还原反应，使废料中的有机物和其他杂质被氧化分解，铅被还原为氧化铅。4. 除杂：对还原后的废料进行除杂处理，常见的方法有重力分选、气体浮选、磁选等，将废料中的杂质如塑料、玻璃、金属等除去。5. 冶炼：除杂后的废料进入冶炼炉内，在高温下加入还原剂如焦炭，使氧化铅还原为金属铅。6. 精炼：对冶炼得到的铅进行精炼处理，常见的方法有电解精炼、蒸馏精炼等，以去除铅中的杂质，得到高纯度的金属铅。7. 铅合金制备：根据需求，将精炼后的铅合金化，加入其他金属元素，调节铅的性质，如制备铅酸蓄电池所需的铅酸铅。8. 产品成型：将铅合金熔化并浇铸成所需的形状，如铅锭、铅块、铅板等。9. 产品检验：对成品进行质量检验，包括化学成分、机械性能等指标的检测。10. 产品包装和销售：将成品进行包装，通常是用铁桶或塑料袋密封包装，以便储存和销售。