半导体中的载流子是什么？
一、半导体中的载流子是什么？
半导体中的载流子是复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。
在一定温度下，电子-空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。
温度升高时，将产生更多的电子-空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。
二、N型半导体中的载流子是什么？
在硅或锗的晶体中掺入五价元素杂质而形成的杂质半导体，称为N型半导体。
在N型半导体中多数载流子是电子（由掺杂产生），空穴为少数载流子（由本征激发产生）
半导体载流子即半导体中的电流载体。在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体中，存在两种载流子，电子以及电子流失导致共价键上留下的空位（空穴）均被视为载流子。通常N型半导体中指自由电子，P型半导体中指空穴，它们在电场作用下能作定向运动，形成电流。
三、杂质半导体中，多数载流子和少数载流子的浓度由什么决定？
因为半导体中的少数载流子浓度×多数载流子浓度＝本征载流子浓度的平方。 而多数载流子浓度大于本征载流子浓度， 所以少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小
四、在半导体中载流子的三种运输方式？
3种1电子，2，离子，3空穴，半导体是空穴导电。
五、半导体载流子扩散的决定因素？
半导体载流子即半导体中的电流载体。在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体中，存在两种载流子，电子以及电子流失导致共价键上留下的空位（空穴）均被视为载流子。通常N型半导体中指自由电子，P型半导体中指空穴，它们在电场作用下能作定向运动，形成电流。
少数载流子能够存储（积累），则对于器件的开关速度有很大影响；而多数载流子的电容效应（势垒电容）往往是影响器件最高工作频率的因素。
六、N型.P型半导体中的载流子各是什么？
P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。
多数载流子：P型半导体中，空穴的浓度大于自由电子的浓度，称为多数载流子，简称多子。
少数载流子：P型半导体中，自由电子为少数载流子，简称少子。
N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置形成N型半导体。
多子：N型半导体中，多子为自由电子。
少子：N型半导体中，少子为空穴。
扩展资料：
N型半导体的特点：
半导体中有两种载流子，即价带中的空穴和导带中的电子，以电子导电为主的半导体称之为N型半导体，与之相对的，以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。
“N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。凡掺有施主杂质或施主数量多于受主的半导体都是N型半导体。例如，含有适量五价元素砷、磷、锑等的锗或硅等半导体。
由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。
P型半导体的特点：
半导体中有两种载流子：导带中的电子和价带中的空穴。 如果某一类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴，则该类型的半导体就称为P型半导体。
“P”表示正电的意思，取自英文Positive的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴，这些空穴来自半导体中的受主。因此凡掺有受主杂质或受主数量多于施主的半导体都是p型半导体。例如，含有适量三价元素硼、铟、镓等的锗或硅等半导体就是P型半导体。
由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。
七、在p型半导体中什么是多数载流子？
P型半导体中的多数载流子是空穴。
P型半导体，即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。
如果半导体中电子浓度大时，电子就是多数载流电子，空穴就是少数载流电子。相反，如果该半导体中空穴浓度大时，空穴就是多数载流电子，电子就是少数载流电子。
八、金属导体中电流的方向是？
首先你要理解金属导体的实质
金属导体内部是由金属原子和自由电子构成的，
其中自由电子可以移动，电流方向即为电子移动的反方向，
金属导体的实质也是自由电子的运动
PS：不管对什么而言，电流的方向都是正电荷移动的方向，负电荷移动的反方向
不只是 对金属导体
九、为什么霍尔材料是半导体的载流子？
霍尔效应在半导体中特别显著原因是因为半导体的霍尔系数系数比金属大得多，半导体的载流子浓度远比金属的载流子浓度小，所以采用半导体材料作霍尔元件灵敏度较高。
一个与x轴平行放置的p型半导体，添加x正方向的电场与z正方向的磁场。则可理解为多子向x正方向移动，可判断在磁场作用下空穴向y轴负方向移动，形成由y轴负方向到y轴正方向的电场，达到平衡时霍尔电势差为由y轴负方向到正方向。
可是如果是n型半导体，多子为电子，在x正方向电场作用下向x轴负方向移动，在磁场作用下向y轴负方向移动，因此形成了由y轴正方向到负方向的霍尔电势差。
因此，霍尔效应可用于判断半导体类型。
十、霍尔系数，与半导体中载流子类型有何关系？
只是用左手定则判断方向的问题。电场E加x方向，磁场B加z方向。将在+y或–y方向上产生横向电场Ey，Ey=Rh·J·B，比例系数Rh即为霍尔系数。
对于p型半导体，空穴受洛伦兹力qvB，沿–y方向，空穴向–y方向偏转，在+y方向产生横向电场，稳定时qE–qvB=0，E=vB=JB/pq，霍尔系数Rh=E/JB=1/pq，大于0。
对于n型半导体，电子漂移沿–x方向，洛伦兹力为–qvB，但根据左手定则(此时为电子，可以转化为空穴去判断力，再判断y方向的极性)霍尔电场沿–y方向，稳定时–qE–qvB=0，同理得霍尔系数Rh=–1/nq，小于0。知道霍尔系数Rh，有个简单的方法(中学都学过啦)测量y方向霍尔电压Vh=Rh·I·B/d，d是样品厚度，I是x方向电流，B是z方向磁场。
