为什么金属的载流子浓度比si好？

一、为什么金属的载流子浓度比si好？

半导体中电子与空穴统称载流子，将纯净的半导体制作成单晶体，即为本征半导体。

在室温下，SI硅的本征载流子浓度为1.43*10^10cm^-3,GE为2.38*10^13cm^-3,另外，SI的原子密度为5×10^22/cm^3,GE为4.4×10^22/cm^3.相比之下，只有极少数原子的价电子受激发产生电子空穴对。综上，本征半导体的导电能力是很弱的。一般通过工艺参杂，来提高载流子浓度。 可参考模拟电路中的知识。更深的有半导体物理

二、霍尔元件的载流子是什么？

当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象就是霍尔效应。这个电势差也被称为霍尔电势差。霍尔效应应使用左手定则判断。电流载体，称载流子。在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。

在半导体物理学中，电子流失导致共价键上留下的空位（空穴引）被视为载流子。

金属中为电子，半导体中有两种载流子即电子和空穴。在电场作用下能作定向运动的带电粒子。

三、“多数载流子”和“少数载流子”的意义分别是什么？

多数载流子是半导体物理的概念，对于杂质半导体,N型半导体中的电子和P型半导体中的空穴称为多数载流子(简称多子),而N型半导体中的空穴和P型半导体中的电子称为少数载流子(简称少子)。

半导体材料中有电子和空穴两种载流子。 在 N 型半导体中,电子是多数载流子, 空穴是少数载流子。在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。

少数载流子寿命英文名称：minority carrier lifetime 定义：半导体材料中非平衡载流子因复合其浓度降为1/e的时间。 应用学科：材料科学技术（一级学科）；半导体材料（二级学科）；总论（二级学科）

载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。

例如，对n型半导体，非平衡载流子寿命也就是指的是非平衡空穴的寿命。

四、半导体中的载流子是什么？

半导体中的载流子是复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。

在一定温度下，电子-空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。

温度升高时，将产生更多的电子-空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。

五、正电载流子是什么意思？

载流子就是带有电荷、并可运动而输运电流的粒子，包括电子、离子等。半导体中的载流子有两种，即带负电的自由电子和带正电的自由空穴。所以载流子即有正电，也有负电。

六、硅的载流子浓度公式？

室温下,硅的本征载流子浓度为i=1.5×1016m-3,

七、载流子的主要来源？

人们已经知道，载流子就是电荷的载体（电荷的运输者），也就是能够移动的荷电粒子。在半导体的导电过程中运载电流的粒子，同时，可以是带负电的电子，也可以是带正电的空穴，带电荷的电子或空穴就叫载流子。

由于载流子的移动，输运电荷，就产生了电流。具有众多个载流子的物质就是导体，相反，载流子少，甚至没有载流子的物质就是绝缘体，而可以改变载流子数量的物质就是半导体。 每立方厘米中电子或空穴的数目就叫载流子浓度。

载流子的浓度是决定半导体电导率大小的主要因素，其单位是原子/cm3。在本征半导体中，电子和空穴的浓度是相等的。而在含有杂质和晶格缺陷的半导体中，电子和空穴的浓度不相等。把数目较多的载流子叫多数载流子，把数目较少的载流子叫少数载流子，例如，N型半导体中，电子是多数载流子，空穴就是少数载流子，而在P型半导体中正好相反，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

温度对半导体的载流子浓度有很大影响，无论是本征型还是N型或P型半导体，里面的载流子主要是靠热运动激发而产生，所以温度变化会使载流子浓度变化。其实，温度对载流子浓度不仅有影响，而且影响是非常强烈的。

温度变化几摄氏度，载流子浓度会变化几十倍，甚至上百倍。温度不变时，禁带宽度也会引起载流子浓度的巨大变化。 对于含杂质的半导体，载流子的来源，一方面由杂质产生，另一方面是由本身元素的电子从满带跳到导带产生的。

当温度不高时，载流子主要由杂质产生，第二个来源是次要的，当温度增加很高时，杂质原子可以释放的电子或空穴全部释放出来，第一个来源停止产生载流子，第二个来源产生的载流子可以赶上并大大超过第一来源，此时半导体将失去电子或空穴导电性，开始呈本征导电性（即同时由电子和空穴产生导电）。

八、igbt的载流子类型？

IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)，所以它是一个有MOS Gate的BJT晶体管。奇怪吧，它到底是MOSFET还是BJT?其实都不是又都是。不绕圈子了，他就是MOSFET和BJT的组合体。

我在前面讲MOSFET和BJT的时候提到过他们的优缺点，MOSFET主要是单一载流子(多子)导电，而BJT是两种载流子导电，所以BJT的驱 动电流会比MOSFET大，但是MOSFET的控制级栅极是靠场效应反型来控制的，没有额外的控制端功率损耗。

九、N型半导体中的载流子是什么？

在硅或锗的晶体中掺入五价元素杂质而形成的杂质半导体，称为N型半导体。

在N型半导体中多数载流子是电子（由掺杂产生），空穴为少数载流子（由本征激发产生）

半导体载流子即半导体中的电流载体。在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体中，存在两种载流子，电子以及电子流失导致共价键上留下的空位（空穴）均被视为载流子。通常N型半导体中指自由电子，P型半导体中指空穴，它们在电场作用下能作定向运动，形成电流。

十、霍尔元件的载流子类型？

这要根据电流、电压、磁场方向才能说明清楚.例如把显示屏当做霍尔元件,磁场方向由显示屏正面垂直指向显示屏背面,电流从左往右流,如果载流子是电子的话,则电子运动的方向与电流方向相反,从右向左,电子所受洛伦兹力方向向上,电子就会在显示屏上端聚集.如果试验中发现上端的电势低于下端电势的话,就可以判断载流子是电子,就是n型半导体,n是negative的缩写,就是消极的、负的意思.如果载流子是空穴的话,空穴就相当于正电荷,那么它的运动方向与电流相同,从左往右,空穴受洛伦兹力方向向上,则上方会有正电荷聚集,实验中发现上方的电势高于下方的电势时,就可以判断它是p型半导体,p是positive的缩写,是积极的,正的意思.