si和al的导电性谁强？
一、si和al的导电性谁强？
al和si，铝的导电性好。
铝是良导体，根据金属导电性排序，银铜金铝钙铍镁锌，铝的导电性排名第四，价格便宜，质量又轻，因此和铜一样是最常用的电缆材料。硅是半导体，导电性很差。
铝是地壳中最多的金属元素，主要是以化合态存在，铝土矿主要成分是Al2O3
Al2O3两性氧化物
与硫酸反应Al2O3+3H2SO4==Al2(SO4)3+3H2O
与氢氧化钠Al2O3+2NaOH==2NaAlO2+H2O
离子方程式Al2O3+2OH-==2AlO2-+H2O
2.Al(OH)3两性氢氧化物
(1)Al(OH)3+3HCl==3AlCl3+3H2O
Al(OH)3+NaOH==NaAlO2+2H2O
离子反应:
Al(OH)3+OH-==AlO2-+2H2O
受热分解
2Al(OH)3==
Al2O3+3H2O
(2)将NaOH滴加入AlCl3溶液中至过量现象:先有白色沉淀后沉淀消失。
实验室常用铝盐与足量氨水制取Al(OH)3
(3)明矾:十二水合硫酸铝钾[KAl(SO4)2·12H2O]
易溶于水，溶于水后显酸性，是因为Al3++3H2O==AL(OH)3+3H+
，因此明矾常用作净水剂，是因为铝离子水解生成氢氧化铝、而氢氧化铝具有
吸附性
吸收了水中悬浮物
而下沉
。
铝的性质
(1)物理性质
银白色金属固体，密度2.70g/cm3较强的韧性、延展性良好的导热导电性
(2)化学性质
铝是比较活泼的金属，具有较强的还原性
①
与氧气反应
常温下与空气中的氧气反应生成坚固的氧化膜，所以铝有良好的抗腐蚀能力
4Al+3O2====2Al2O3
②
铝与冷水不反应，与热水缓慢反应
2
Al2O3+6H2O=====2Al(OH)3↓
一般情况下。铝表面的氧化膜阻止了与水的反应
③
与非氧化性酸反应
2Al+6HCl==2AlCl3+3H2↑
2Al+3H2SO4==Al2(SO4)3+3H2↑
常温下铝与浓硫酸浓硝酸钝化
④
与强碱反应
2Al
+
2
NaOH
+
2H2O===2NaAlO2+3H2↑(唯一的一个)
⑤铝热反应
2Al+
Fe2O3===2
Fe
+
Al
2O3
焊接铁轨
SiO2化学性质
不活泼,耐高温耐腐蚀
①不与水酸(除HF)反应SiO2+4HF==SiF4↑+2H2O
玻璃不装HF酸
②与碱性氧化物反应SiO2+CaO==CaSiO3
③与碱反应SiO2+2NaOH==Na2SiO3+H2O
实验室装NaOH的试剂瓶用橡皮塞
硅元素在自然界以SiO2及硅酸盐的形式存在，知道晶体硅是良好的半导体材料硅
物理性质:晶体硅呈现灰黑色,有金属光泽硬而脆的固体良好的半导体
SiO2+2C==2CO↑+Si(粗硅)
Si+2Cl2==SiCl4
SiCl4+2H2===Si+4HCl
二、硅的用途及使用方法？
、硅是电子工业超纯硅的原料，超纯半导体单晶硅做的电子器件具有体积小、重量轻、可靠性好和寿命长等优点。掺有特定微量杂质的硅单晶制成的大功率晶体管、整流器及太阳能电池，比用锗单晶制成的好。
2、非晶硅太阳能电池研究进展很快，转换率达到了8%以上。硅钼棒电热元件最高使用温度可达1700℃，具有电阻不易老化和良好的抗氧化性能。
3、用硅生产的三氯氢硅，可配制几百种硅树脂润滑剂和防水化合物等。此外，碳化硅可作磨料，高纯氧化硅制作的石英管是高纯金属冶炼及照明灯具的重要材料。
4、硅构筑植物的重要元素。硅是植物重要的营养元素，大部分植物体内含有硅。表明，硅在植物干物质中占的比例为0.1-20%。
5、硅是品质元素。有改善农产品品质的作用，并有利于贮存和运输。硅能调节作物的光合作用和蒸腾作用，提高光合效率，增强作物的抗旱、抗干热风和抗低温能力。
硅肥可增强作物对病虫害的抵抗力，减少病虫危害。作物吸收硅后，在体内形成硅化细胞，使茎叶表层细胞壁加厚，角质层增加，从而提高防虫抗病能力。硅肥可提高作物抗倒伏。由于作物的茎秆直，使抗倒伏能力提高80%左右。
硅肥可使作物体内通气性增强。作物体内含硅量增加，使作物导管刚性加强，促使通气性，不但可促进作物根系生长，还可预防根系的腐烂和早衰。
6、微孔硅钙保温材料微孔硅钙保温材料是一种优良的保温材料。它具有热容量小、机械强度高、导热系数低、不燃烧、无毒无味、可切割、运输方便等特点，可广泛用于冶金、电力、化工、船舶等各种热力设备及管道上。
三、硅441和通氧553硅有什么区别？
硅-441和通氧-553硅均为常用的半导体级硅（CZ-Si，Czochralski Silicon）材料。它们的主要区别在于纯度、硅单晶的结构、杂质元素控制等几个方面：
1. 纯度：硅-441的纯度较高，可以高达99.9999（六个9），而通氧-553硅的纯度只有99.999（五个9）。因此在一些对材料纯度要求较高的工艺中，硅-441更加适用。
2. 结晶结构：硅-441和通氧-553硅的生长过程不同，硅-441是在高温真空条件下生长，而通氧-553硅是在含氧气氛中生长。硅-441晶体的晶界、位错等缺陷较少，在一些对单晶质量要求较高的工艺中具有优势；而通氧-553硅则可以在生长过程中控制氧气气氛，生长出具有特定电学性质的半导体硅模具。
3. 杂质元素控制：在通氧-553硅的生长过程中，氧气被控制在一定的浓度范围内。过多或过少的氧气量都会对材料的电学性能产生不良影响。硅-441则是在高温纯净环境中生长，对种族杂质和金属杂质的控制精度要求较高。
总之，硅-441和通氧-553硅都是重要的半导体硅材料，使用场景和性质多有不同，需要根据具体的工艺要求选择适用的硅材料。
