刻蚀原理？

发布时间：2024-11-22 19:04编辑：冶金属归类：金属价格

一、刻蚀原理？

把未被抗蚀剂掩蔽的薄膜层除去，从而在薄膜上得到与抗蚀剂膜上完全相同图形的工艺。

在集成电路制造过程中，经过掩模套准、曝光和显影，在抗蚀剂膜上复印出所需的图形，或者用电子束直接描绘在抗蚀剂膜上产生图形，然后把此图形精确地转移到抗蚀剂下面的介质薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金属薄膜（如铝及其合金）上去，制造出所需的薄层图案。

刻蚀就是用化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜层除去，从而在薄膜上得到和抗蚀剂膜上完全一致的图形。刻蚀技术主要分为干法刻蚀与湿法刻蚀。

干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀；湿法刻蚀主要利用化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应进行刻蚀。

二、硅刻蚀和介质刻蚀的区别？

干法刻蚀也可以根据被刻蚀的材料类型来分类。按材料来分，刻蚀主要分成三种：金属刻蚀、介质刻蚀、和硅刻蚀。

介质刻蚀是用于介质材料的刻蚀，如二氧化硅。接触孔和通孔结构的制作需要刻蚀介质，从而在ILD中刻蚀出窗口，而具有高深宽比（窗口的深与宽的比值）的窗口刻蚀具有一定的挑战性。

硅刻蚀（包括多晶硅）应用于需要去除硅的场合，如刻蚀多晶硅晶体管栅和硅槽电容。

金属刻蚀主要是在金属层上去掉铝合金复合层，制作出互连线。

三、芯片等离子体刻蚀如何避免金属污染？

芯片等离子体刻蚀避免金属污染的方法有：在刻蚀前，对芯片进行金属清洗，以去除表面附着的金属杂质。采用金属保护剂，在刻蚀过程中对芯片进行保护，防止金属被腐蚀。采用高纯度的刻蚀气体，减少杂质气体的产生，从而降低金属污染的可能性。在刻蚀过程中，保持稳定的工艺条件，控制刻蚀速度和时间，减少金属材料与刻蚀气体的接触时间。采用金属离子过滤器，将刻蚀气体中的金属离子去除，从而避免金属污染。在刻蚀后，进行严格的清洗和检测，确保芯片表面没有金属残留。通过以上方法，可以有效地避免芯片等离子体刻蚀过程中的金属污染问题。

四、刻蚀特征指标？

刻蚀效果的主要参数有刻蚀速率、陡直度、选择比、对GaN的损伤等。除了Cb虍α3作MC13213为GaN的刻蚀气体外,也可用Cb与Ar或者Hc等l°l。干法蚀刻Sio2、silNl或者siON通常用的是含F或Cl的气体,如CF4、S凡等。

GaN基LED芯片制造中ITO的蚀刻一般用湿法蚀刻,蚀刻液有王水(HCl∶IlNOf3△)、ITo蚀刻液(主要成分是HC1和Fec13)。

五、刻蚀的意思？

刻蚀，英文为Etch，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。

六、刻蚀notch效应？

应该是蚀刻原理。

定义　　

通常所指蚀刻也称腐蚀或光化学蚀刻（photochemicaletching），指通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。

最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版，也广泛地被使用于减轻重量仪器镶板，铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等的加工；经过不断改良和工艺设备发展，亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工，特别在半导体制程上，蚀刻更是不可或缺的技术。

七、铜箔刻蚀原理？

铜箔的蚀刻原理：

蚀刻时的主要化学反应三氯化铁蚀刻液对铜箔的蚀刻是一个氧化－还原过程。铜表面Fe3+使铜氧化成氯化亚铜。同时Fe3+被还原成Fe2+ FeCl3＋CuFeCl2＋CuCl 可以和FeCl3进一步发生反应天生氯化铜。CuCl具有还原性。

FeCl3＋CuClFeCl2＋CuCl2 与铜发生氧化反应：Cu2+具有氧化性。 CuCl2＋Cu2CuCl FeCl3蚀刻液对Cu蚀刻时靠Fe3+和Cu2+共同完成的其中Fe3+蚀刻速率快，所以。蚀刻质量好；而Cu2+蚀刻速率慢，蚀刻质量差。新配制的蚀刻液中只有Fe3+所以蚀刻速率较快。但是跟着蚀刻反应的进行，Fe3+不时消耗，而Cu2+不时增加。当Fe3+消耗掉35％时，Cu2+已增加到相称大的浓度，这时Fe3+和Cu2+对Cu蚀刻量几乎相等；当Fe3+消耗掉50％时，Cu2+蚀刻作用由主要地位而跃居主要地位，此时蚀刻速率慢，即应考虑蚀刻液的更新。

八、怎样用化学的方法在金属上面刻蚀图片数字？

用稀酸，涂上去放一段时间就好了。颜色以金属而定，用盐也行。楼上有没搞错，要是铜板的话，方程式都错了，改成：3Cu+2FeCl3====3CuCl2+2Fe用FeCl2（氯化亚铁）也行：Cu+FeCl2====CuCl2+Fe不过要注意，用盐的话盐所含金属的活动性得排在往上面刻蚀图片数字的金属前面，那样才能反应。